9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN65D9L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN65D9L-7参考价格为0.25000美元。Diodes Incorporated DMN65D9L-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23。您可以下载DMN65D9L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN63D8LV-7是MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563，包括DMN63系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为450mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为22pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为260mA，最大Id Vgs上的Rds为2.8 Ohm@250mA，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.87nC@10V，Pd功耗为450mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.3 ns，上升时间为3.2ns，Id连续漏极电流为260mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型导通延迟时间为3.3ns，Qg栅极电荷为0.87nC，信道模式是增强。
带有用户指南的DMN63D8LW-13，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMN63等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1信道数的信道。
带有电路图的DMN63D8LW-7，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN63，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
