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FQD13N06LTM

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、28W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.85274 4.85274
10+ 4.27331 42.73311
100+ 3.27741 327.74120
500+ 2.59093 1295.46500
1000+ 2.07277 2072.77300
2500+ 2.06096 5152.41750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.85274
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.85
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、28W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 115毫欧姆@5.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V
  • 色彩/颜色 -

FQD13N06LTM 产品详情

该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特色

  • 10A,60V,RDS(开启)=140mΩ(最大值)@VGS=10 V,ID=5A
  • 低栅极电荷(典型值5.8nC)
  • 低铬(典型值15pF)
  • 100%雪崩测试

应用

  • 液晶电视
  • LED电视
  • 其他工业
FQD13N06LTM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD13N06LTM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD13N06LTM价格参考¥4.852743,你可以下载 FQD13N06LTM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD13N06LTM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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