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SI9433BDY-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计用于SI9433BD Y-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET/PowerPAK，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为40 mOhm@6.2A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@4.5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为55纳秒，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型导通延迟时间为40ns，正向跨导最小值为15S，沟道模式为增强。
SI9433BDY带有SI制造的用户指南。SI9433BD可在SOP-8封装中获得，是IC芯片的一部分。
SI9433BDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI9433BDY-T1在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
