该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
应用
•背光
•电源管理功能
•DC-DC转换器
特色
•低导通电阻
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
•无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
•符合AEC-Q101高可靠性标准
DMN4800LSS-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 1.46W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.47659 | 3.47659 |
| 10+ | 2.98407 | 29.84075 |
| 100+ | 2.22646 | 222.64670 |
| 500+ | 1.74930 | 874.65250 |
| 1000+ | 1.35174 | 1351.74200 |
| 2500+ | 1.23245 | 3081.13000 |
| 5000+ | 1.15292 | 5764.62500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.47659
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.48
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.6V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 798 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@9A、10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.47 nC @ 5 V
- 最大功耗 1.46W（Ta）
- 色彩/颜色 -
DMN4800LSS-13 产品详情
DMN4800LSS-13 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.47659 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMN4800LSS-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN4800LSS-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN4800LSS-13价格参考￥3.476592，你可以下载 DMN4800LSS-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN4800LSS-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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