9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6290，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6290价格参考3.02000美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6290封装/规格：MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6。您可以下载AON6290英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6278是MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（5x6）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作7.4W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为80V，该器件提供4646pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为34A（Ta）、85A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为3.3mOhm@20A、10V，Vgs最大Id为3.3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为86nC@10V。
AON6284是MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN，包括3.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-DFN（5x6）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于7.1 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如7.4W，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及8-PowerSMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2162pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件具有40nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为80V，电流连续漏极Id 25°C为24A（Ta），78A（Tc）。
AON6280是由AOS制造的MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN。AON6280可提供8-PowerSMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN、N沟道80V 17B（Ta）、85A（Tc）7.3W（Ta）和83W（Tc）表面安装8-DFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH80V 85A 8-Pin DFN EP T/R。
