9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIB441EDK-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIB441EDK-T1-GE3参考价格为0.48000美元。Vishay Siliconix SIB441EDK-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6。您可以下载SIB441EDK-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIB437EDKT-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6，包括卷筒包装，它们设计用于SIB437EDTT-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SC-75-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.4 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为630 ns，上升时间为170 ns，Vgs栅极-源极电压为5 V，Id连续漏极电流为9 a，Vds漏极-源极击穿电压为-8V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-0.7V，Rds漏极源极电阻为34mOhms，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为10.5nC，正向跨导Min为14S。
SiB433EDK-T1-GE3是MOSFET 20V 9A P-CH MOSFET，包括-0.4 V至-1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-8 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.003386盎司，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为47mOhm，器件提供14nC Qg栅极电荷，器件具有13W的Pd功耗，部件别名为SIB433EDK-GE3，封装为卷轴式，封装盒为SC-75-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-9A，正向跨导最小值为12S，配置为单一。
SIB-1110-02-F-S-LC，带电路图，包括压缩触点、非类型连接器类型，它们设计为使用金触点表面，触点表面厚度如数据表注释所示，用于闪存，提供磷青铜等材料特性，安装类型设计为表面安装，以及10个触点，该设备也可以用作1行数。此外，包装为管式，该设备提供0.100“（2.54mm）节距，该设备具有系列SIB。
SIB415DK-T1-E3是由VISHAY制造的Trans-MOSFET P-CH 30V 4.17A 6引脚PowerPAK SC-75 T/R。SIB415DK-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 30V 4.17A 6引脚PowerPAK SC-75 T/R。
