9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD10PF06-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD10PF06-1参考价格为0.91000美元。STMicroelectronics STD10PF06-1封装/规格：MOSFET P-CH 60V 10A IPAK。您可以下载STD10PF06-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STD10P6F6是MOSFET P CH 60V 10A DPAK？，STripFET？VI系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的DPAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为35W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为340pF@48V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为10A（Tc），最大Id Vgs的Rds为160mOhm@5A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.4nC@10V，Pd功耗为35W，其最大工作温度范围为+175 C，下降时间为10ns，上升时间为7ns，Vgs栅源电压为20V，并且Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16.5ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Qg栅极电荷为7nC。
STD10P10F6带有ST制造的用户指南。STD10P10F6TO-252封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET P沟道100 V、P沟道100V 10A（Tc）40W（Tc）表面安装DPAK、Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin（2+Tab）DPAK T/R、MOSFET P信道100 V、典型值0.136欧姆、DPAK封装中的10A STripFET F6功率MOSFET”。
STD10PF06，带有FAICHILD制造的电路图。STD10PF06采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
