9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ3481EV-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ3481EV-T1_GE3参考价格为0.72000美元。Vishay Siliconix SQ3481EV-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP。您可以下载SQ3481EV-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ3469EV-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SY3443BDV-T1-E3，提供单位重量功能，如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该设备也可以用作TSOP-6封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为5W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-8A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，第Vgs栅极源极阈值电压为-2V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为32nS，典型导通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为17.7nC。
SQ3460EV-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如21 nS，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件以SQ系列系列提供，该器件具有8 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为30 mOhms，Qg栅极电荷为9.3 nC，Pd功耗为3.6 W，零件别名为SQ3460EV-GE3，封装为卷轴，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为8 ns，配置为单一。
SQ3481EV-T1_GE3，带有电路图，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于SQ系列，提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-30 V Vds漏极-源极击穿电压。
