9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计生产的PMZB290UNE2YL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMZB290UNE2YL参考价格为0.37000美元。Nexperia USA Inc.PMZB290UNE2YL封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3。您可以下载PMZB290UNE2YL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PMZB290UN，315，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于3-XFDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能，供应商设备封装设计用于3-DFN1006B（0.6x1），以及MOSFET N沟道、金属氧化物FET型，该器件还可以用作360mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供83pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为380mOhm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.68nC@4.5V。
PMZB290UNE，315是MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3，包括950mV@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于3-DFN1006B（0.6x1）供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于380 mOhm@500mA，4.5V，提供功率最大特性，如360mW，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供83pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有0.68nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为1A（Ta）。
带有电路图的PMZB200UNEYL，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计用于1个N通道。
