这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。
SQ坚固系列MOSFET的优点•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项
AEC-Q101型
SQ3495EV-T1_GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.28731 | 5.28731 |
| 10+ | 4.62821 | 46.28213 |
| 100+ | 3.54757 | 354.75720 |
| 500+ | 2.80445 | 1402.22550 |
| 1000+ | 2.24356 | 2243.56100 |
| 3000+ | 2.10333 | 6310.01400 |
- 库存: 19
- 单价: ¥5.28732
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.29
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、10伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
- 最大功耗 5W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@5A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3950 pF @ 20 V
- 色彩/颜色 -
SQ3495EV-T1_GE3 产品详情
N沟道MOSFET，汽车SQ加固系列，Vishay半导体
SQ3495EV-T1_GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SQ3985EV-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.21489 |
 | SQ3987EV-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.70789 |
 | SQ3985EV-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.21489 |
 | SQ3989EV-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.56303 |
 | SQ3585EV-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.57A（Tc）、2.5A（Tc 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.58144 |
 | SQ3425EV-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.21489 |
 | SQ315 | 克莱因工具 (Klein) | BIT POWER SQUARE #3 1" | ¥312.05321 |
 | SQ3355 | 克莱因工具 (Klein) | BIT POWER SQUARE #3 3.5" | ¥626.98309 |
 | SQ362 | 克莱因工具 (Klein) | BIT POWER SQUARE #3 6" | ¥243.28901 |
 | SQ3989EV-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M | ¥4.56303 |
SQ3495EV-T1_GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SQ3495EV-T1_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQ3495EV-T1_GE3价格参考￥5.287317，你可以下载 SQ3495EV-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQ3495EV-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
