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DMN4800LSSL-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.46W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.07364 2.07364
100+ 1.66876 166.87640
1000+ 1.56736 1567.36400
  • 库存: 25
  • 单价: ¥2.07364
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.07
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.6V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.7 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 798 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 14毫欧姆@8A,10V
  • 最大功耗 1.46W(Ta)

DMN4800LSSL-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

应用
•背光
•电源管理功能
•DC-DC转换器

特色


•低导通电阻
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
•无卤素和锑。“绿色”设备(注3)
•符合AEC-Q101高可靠性标准

DMN4800LSSL-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN4800LSSL-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN4800LSSL-13价格参考¥2.073642,你可以下载 DMN4800LSSL-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN4800LSSL-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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