9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN66D0LT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN66D0LT-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMN66D0LT-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523。您可以下载DMN66D0LT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN66D0LDW-7是MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363，包括DMN66系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为23pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为115mA，最大Id Vgs上的Rds为5 Ohm@115mA，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，Pd功耗为250 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为115mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
DMN66D0LDW，带有DIODES制造的用户指南。DMN66D0LDW在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
DMN66D0LDW-7-F，电路图由DIODES制造。DMN66D0LDW-7-F采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
