9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2005K-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2005K-7参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated DMN2005K-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3。您可以下载DMN2005K-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2005DLP4K-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN，包括DMN2005系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如6-SMD，无引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用6-DFN1310H4（1.0x1.3）供应商设备包提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为400mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极-源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为300mA，Rds On Max Id Vgs为1.5 Ohm@10mA，4V，Vgs th Max Id为900mV@100μA，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-源极电阻Rds为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
DMN2005DLP4K，带有ZETEX/DIODES制造的用户指南。DMN2005DLP4K在DFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
DMN2005K，电路图由DIODES制造。DMN2005K在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
