AON7410

AON7410 30V N沟道MOSFET概述AON7410采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该设备适用于DC-DC转换器和负载开关应用。功能VDS（V）=30V ID=24A RDS（ON）<20mΩ RDS（开启）<26mΩ 100%UIS测试100%Rg测试（VGS=10V）（VGS=10V）（VGS=4.5V）顶视图DFN 3x3 EP底视图D顶视图1 2 3 4 8 7 6 5 G S引脚1绝对最大额定值TA=25°C，除非另有说明参数符号漏极源电压VDS栅极源电压连续漏极电流B脉冲漏极电流连续漏极A电流雪崩电流C C最大值30±20 15 50 9.5 7.7 17 14 208.3 3.1 2-55至150单位V V VGS TC=25°C TC=100°C TA=25°C TA=70°C IDSM IAS、IAR EAS、EAR PD PDSM TJ、，TSTG ID IDM A A mJ重复雪崩能量L=0.1mH TC=25°C功耗B功耗A TC=100°C TA=25°C TA=70°C W结和存储温度范围热特性参数A最大结到环境最大结到周围最大结到情况B°C符号t≤10s稳态RθJA RθJC典型值30 60 5最大值40 75 6单位°C/W°C/W°C/W Alpha&Omega半导体有限公司W W W.aosmd.com数据表pdf-AON7410电气特性（TJ=25°C，除非另有说明）符号参数条件ID=250µA，VGS=0V VDS=30V，VGS=0V TJ=55°C VDS=0V，VGS=±20V VDS=VGS ID=250¦ΜA VGS=10V，VDS=5V VGS=10 V，ID=8A RDS（ON）gFS VSD IS静态Drain-Source ON-Resistance VGS=4.5V，ID=7A正向跨导二极管正向电压VDS=5V，ID=8A IS=1A，VGS=0V TJ=125°C 1.4 50 16 24 21 30 0.75 1 20 440 VGS=V，VDS=15V，f=1MHz VGS=0 V，VDS=0V，f=1 MHz 77 33 3 7.8 VGS=10V，VDS=15VΩ, 根=3Ω IF=8A，dI/dt=500A/µs 7 12 550 110 55 4 9.8 4.6 1.8 2.2 5 3.2 24 6 9 15 11 18 660 143 77 4.9 12 5.5 2.2 3 20 29 26 s V A pF pFΩ n C n C n c n C ns ns ns ns n c mΩ 1.8最小30 1 5±100 2.5典型最大单位VµA nA V A静态参数BVDSS漏极-源极击穿电压IDSS IGSS VGS（th）ID（ON）零栅极电压漏极电流门体泄漏电流门阈值电压导通状态漏极电流最大体二极管连续电流动态参数Ciss输入电容Coss Crss Rg输出电容反向转移电容门电阻开关参数Qg（10V）总栅极电荷Qg（4.5V）总栅极充电Qgs Qgd tD（on）tr tD（off）tf trr Qrr栅极源极电荷栅极漏极电荷开启延迟时间开启上升时间关闭延迟时间关闭下降时间体二极管反向恢复时间体二极管逆向恢复电荷IF=8A，dI/dt=500A/µs A：RθJA的值是用安装在1in2 FR-4板上的器件以2oz测量的。铜，在TA=25°C的静止空气环境中。功耗PDSM基于RθJA t≤10s值和

AON7410 30V N沟道MOSFET概述AON7410采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该设备适用于DC-DC转换器和负载开关应用。功能VDS（V）=30V ID=24A RDS（ON）<20mΩ RDS（开启）<26mΩ 100%UIS测试100%Rg测试（VGS=10V）（VGS=10V）（VGS=4.5V）顶视图DFN 3x3 EP底视图D顶视图1 2 3 4 8 7 6 5 G S引脚1绝对最大额定值TA=25°C，除非另有说明参数符号漏极源电压VDS栅极源电压连续漏极电流B脉冲漏极电流连续漏极A电流雪崩电流C C最大值30±20 15 50 9.5 7.7 17 14 208.3 3.1 2-55至150单位V V VGS TC=25°C TC=100°C TA=25°C TA=70°C IDSM IAS、IAR EAS、EAR PD PDSM TJ、，TSTG ID IDM A A mJ重复雪崩能量L=0.1mH TC=25°C功耗B功耗A TC=100°C TA=25°C TA=70°C W结和存储温度范围热特性参数A最大结到环境最大结到周围最大结到情况B°C符号t≤10s稳态RθJA RθJC典型值30 60 5最大值40 75 6单位°C/W°C/W°C/W Alpha&Omega半导体有限公司W W W.aosmd.com数据表pdf-AON7410电气特性（TJ=25°C，除非另有说明）符号参数条件ID=250µA，VGS=0V VDS=30V，VGS=0V TJ=55°C VDS=0V，VGS=±20V VDS=VGS ID=250¦ΜA VGS=10V，VDS=5V VGS=10 V，ID=8A RDS（ON）gFS VSD IS静态Drain-Source ON-Resistance VGS=4.5V，ID=7A正向跨导二极管正向电压VDS=5V，ID=8A IS=1A，VGS=0V TJ=125°C 1.4 50 16 24 21 30 0.75 1 20 440 VGS=V，VDS=15V，f=1MHz VGS=0 V，VDS=0V，f=1 MHz 77 33 3 7.8 VGS=10V，VDS=15VΩ, 根=3Ω IF=8A，dI/dt=500A/µs 7 12 550 110 55 4 9.8 4.6 1.8 2.2 5 3.2 24 6 9 15 11 18 660 143 77 4.9 12 5.5 2.2 3 20 29 26 s V A pF pFΩ n C n C n c n C ns ns ns ns n c mΩ 1.8最小30 1 5±100 2.5典型最大单位VµA nA V A静态参数BVDSS漏极-源极击穿电压IDSS IGSS VGS（th）ID（ON）零栅极电压漏极电流门体泄漏电流门阈值电压导通状态漏极电流最大体二极管连续电流动态参数Ciss输入电容Coss Crss Rg输出电容反向转移电容门电阻开关参数Qg（10V）总栅极电荷Qg（4.5V）总栅极充电Qgs Qgd tD（on）tr tD（off）tf trr Qrr栅极源极电荷栅极漏极电荷开启延迟时间开启上升时间关闭延迟时间关闭下降时间体二极管反向恢复时间体二极管逆向恢复电荷IF=8A，dI/dt=500A/µs A：RθJA的值是用安装在1in2 FR-4板上的器件以2oz测量的。铜，在TA=25°C的静止空气环境中。功耗PDSM基于RθJA t≤10s值和

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