该P沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特征
·-5.4A,-60 V,Ros(开启)=450 m2(最大)@Ves=-10V,ID=-2.7A
·低栅极电荷(典型值6.3 nC)
·低铬(典型值25pF)
·100%雪崩测试
特色
- -5.4A,-60V,RDS(开启)=450mΩ(最大值)@VGS=-10 V,ID=-2.7A
- 低栅极电荷(典型值6.3nC)
- 低铬(典型值25pF)
- 100%雪崩测试
应用
- LED电视
(图片:引线/示意图)