久芯网

DMN53D0U-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 520mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.60744 2.60744
10+ 2.15838 21.58384
100+ 1.14437 114.43780
500+ 0.75297 376.48600
1000+ 0.51200 512.00100
3000+ 0.46180 1385.42100
6000+ 0.40154 2409.27600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.60744
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.61
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 50 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、5伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫安时2欧姆,5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 37.1 pF @ 25 V
  • 最大功耗 520mW (Ta)
  • 色彩/颜色 黑色

DMN53D0U-7 产品详情

功能和优点
•N沟道MOSFET
•低导通电阻
•极低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•ESD保护
•完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
•无卤素和锑。“绿色”设备(注3)

•符合AEC-Q101高可靠性标准

说明和应用
该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

机械数据
•案例:SOT23
•外壳材料:模制塑料,“绿色”模制化合物。UL可燃性分类等级94V-0
•湿度敏感度:根据J-STD-020为1级
•端子:在合金42引线框架上退火的亚光锡表面(无铅电镀)。可根据MIL-STD-202方法208焊接
•端子连接:参见图
•重量:0.008克(近似值)


(图片:引线/示意图)

DMN53D0U-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN53D0U-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN53D0U-7价格参考¥2.607444,你可以下载 DMN53D0U-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN53D0U-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

达尔科技 (Diodes rporated)

达尔科技 (Diodes rporated)

Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部