•N沟道MOSFET
•低导通电阻
•极低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•ESD保护
•完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
•无卤素和锑。“绿色”设备(注3)
•符合AEC-Q101高可靠性标准
说明和应用
该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
机械数据
•案例:SOT23
•外壳材料:模制塑料,“绿色”模制化合物。UL可燃性分类等级94V-0
•湿度敏感度:根据J-STD-020为1级
•端子:在合金42引线框架上退火的亚光锡表面(无铅电镀)。可根据MIL-STD-202方法208焊接
•端子连接:参见图
•重量:0.008克(近似值)
(图片:引线/示意图)