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STD2NK60Z-1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.53261 7.53261
10+ 6.72865 67.28654
100+ 5.24748 524.74810
500+ 4.33487 2167.43800
1000+ 3.42227 3422.27000
2000+ 3.19411 6388.23800
  • 库存: 3531
  • 单价: ¥7.53262
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.53
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大功耗 45W (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
  • 供应商设备包装 I-PAK
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 170 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.4A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 700毫安, 10V
  • 色彩/颜色 -

STD2NK60Z-1 产品详情

标记:D2NK60Z,零件号:STD2NK60Z-1

包装:IPAK引脚类型

SuperMESH系列是通过对ST基于PowerMESH的条形结构进行极端优化而获得的™ 布局除了显著降低电阻外,还要特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmesh产品。

1.典型RDS(开)=7.2Ω
2.极高的dv/dt能力
3.ESD改进的能力
4.100%雪崩测试
5.新的高压基准
6.栅极电荷最小化

STD2NK60Z-1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STD2NK60Z-1 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STD2NK60Z-1价格参考¥7.532616,你可以下载 STD2NK60Z-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STD2NK60Z-1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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