特色
- 热性能
- 装置上≤90°C，打开外壳
- ≤50°C/70°C封闭箱温度
- 符合EN55022B标准的EMI
- 易于使用和快速设计
- R DS（开）典型值与标称值之间的大裕度导致的低传导损耗
- 优化输出电容的低开关损耗（E oss）
- 优化EMI以平衡开关速度和EMI行为
- 考虑到集成R g，具有良好的可控性
应用
- 照明
- 适配器
- 消费者
IPN70R1K2P7SATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 6.3W (Tc) 供应商设备包装: PG-SOT223 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.74772 | 4.74772 |
- 库存: 7
- 单价: ¥4.74772
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.75
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Tc)
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 700 V
- 供应商设备包装 PG-SOT223
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@40A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.8 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@900毫安，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 174 pF@400 V
- 最大功耗 6.3W (Tc)
- 色彩/颜色 -
IPN70R1K2P7SATMA1 产品详情
英飞凌CoolMOS™ CE功率MOSFET
IPN70R1K2P7SATMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IPNT-1316 | 附件种类: 螺母 材质: 塑料 色彩/颜色: 黑色 | ¥37.37336 | |
 | IPNT-1316 | ITT坎农 (ITT Cannon ) | 附件种类: 螺母 材质: 塑料 色彩/颜色: 黑色 | ¥74.60187 |
| IPN104 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI | ¥109.72994 |
| IPN102 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI | ¥170.71515 |
| IPN101 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, IBN ADAPTER, MBN800- | ¥195.12373 |
| IPN103 | 广积 (iBASE) | RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI | ¥243.86844 |
 | IPNW-6-6-1/2X13-F | INDEXING PLUNGER WITH LOCKNUT | ¥136.16652 | |
 | IPNW-6-6-M12X1.5-F | INDEXING PLUNGER WITH LOCKNUT | ¥136.16652 | |
| IPN60R600P7S | 英飞凌 (Infineon) | ¥2.16273 | |
| IPN60R1K0CE | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.72358 |
IPN70R1K2P7SATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPN70R1K2P7SATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPN70R1K2P7SATMA1价格参考￥4.747721，你可以下载 IPN70R1K2P7SATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPN70R1K2P7SATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
