9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN1150UFB-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN1150UFB-7B参考价格为0.47000美元。Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B封装/规格：MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN。您可以下载DMN1150UFB-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN10H220L-7，带有引脚细节，包括DMN10系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能。技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SOT-23供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为401pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为220 mOhm@1.6A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@10V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.6 ns，上升时间为8.2 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-16V，Id连续漏极电流为1.6A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第th栅极-源阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为220mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.9ns，典型导通延迟时间为6.8ns，Qg栅极电荷为8.3nC，信道模式为增强。
DMN10H220LE-13，带有用户指南，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为7.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为DMN10系列，器件的上升时间为8.2 ns，漏极-源极电阻Rds为220 mOhms，Qg栅极电荷为8.3 nC，Pd功耗为1.8 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT223，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.3 A，下降时间为3.6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN10H220LVT-7，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于3.6 ns，提供Id连续漏电流功能，如2.24 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TSOT-26-6封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为1.67W，Qg栅极电荷为8.3nC，Rds漏极-源极电阻为250mOhm，上升时间为8.2ns，系列为DMN10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为7.9ns，典型接通延迟时间为6.8ns，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅源极电压为+/-16V，Vgsth栅源极阈值电压为1V。
DMN10H220LVT-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN10等系列功能，晶体管类型设计为在1 N通道以及1通道数量的通道中工作。
