NVMS5P02R2G

Name: NVMS5P02R2G
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7136369-NVMS5P02R2G
Price: 3.331734 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.95A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 647

数量	单价	合计
1+	7.89476	7.89476
10+	7.08355	70.83556
100+	5.52053	552.05380
500+	4.56056	2280.28200
1000+	3.60044	3600.44600
5000+	4.20052	21002.60000

库存: 1200
单价: ¥3.33173
数量:
- +
总计: ¥2,950.68

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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大功耗 -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.25伏@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
漏源电流 (Id) @ 温度 3.95A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 33毫欧姆 @ 5.4A, 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1900 pF @ 16 V

NVMS5P02R2G 产品详情

特征
•具有超低RDS的高密度功率MOSFET（开启）
提供更高的效率
•小型SOIC−8表面安装封装−节省电路板空间
•二极管表现出高速和软恢复
•高温下规定的IDSS
•指定的排放源雪崩能量
•提供SOIC−8封装的安装信息
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
•NVMS前缀用于汽车和其他需要的应用
独特的现场和控制变更要求；AEC−Q101

合格且具备PPAP能力

应用
•便携式和电池供电产品中的电源管理，即：
计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝电话和无绳电话

特色

具有超低RDS（on）的高密度功率MOSFET提供更高的效率
小型SOIC-8表面贴装封装——节省电路板空间
二极管表现出高速和软恢复
高温下规定的IDSS
指定的漏源雪崩能量
提供SO-8组件的安装信息
AEC−Q101合格和PPAP能力

应用

便携式和电池供电产品中的电源管理
计算机
打印机
PCMCIA卡
蜂窝电话和无绳电话

（图片：引出线）

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型号	制造商	描述	价格
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NVMFD5C466NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥11.29892
NVMFD5C672NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.92277
NVMFD5C478NLT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.31533
NVMFD5C462NLT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥11.29892
NVMFD5483NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.94014
NVMFS5834NLWFT3G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc）最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.11157
NVM100015	东电化 - Lambda (TDK)	种类: 开放式输出数量: one 电压输出1: 12伏功率（瓦特）: 180瓦效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额）	¥1,247.22738
NVM100026	东电化 - Lambda (TDK)	种类: 开放式输出数量: one 电压输出1: 24伏功率（瓦特）: 180瓦效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额）	¥1,247.22738

NVMS5P02R2G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVMS5P02R2G 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMS5P02R2G价格参考￥3.331734，你可以下载 NVMS5P02R2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMS5P02R2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！