9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6280，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6280参考价格为2.65000美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6280封装/规格：MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN。您可以下载AON6280英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6242是MOSFET N-CH 60V 18.5A DFN5X6，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（5x6）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作2.3W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供6370pF@30V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为18.5A（Ta），85A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.6mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V。
AON6246是MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-DFN（5x6）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于6.4 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如2.3W，封装设计为在Digi-ReelR交替封装中工作，以及8-PowerSMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供3420pF@30V输入电容Cis Vds，该器件具有40nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为13A（Ta），80A（Tc）。
AON6278是MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN，包括34A（Ta）、85A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于80V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了4646pF@40V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-PowerSMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为7.4W，最大Id Vgs的Rds为3.3mOhm@20A，10V，供应商设备包为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为3.3V@250μA。
