9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHP240N60E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHP240N60E-GE3参考价格为3.11000美元。Vishay Siliconix SIHP240N60E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB。您可以下载SIHP240N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHP18N50C-E3是MOSFET N-CH 500V 18A TO220，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可用作1通道数的通道。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供223 W Pd功耗，该器件具有44 ns的下降时间，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为18 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为5 V，Rds漏极源极电阻为225 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为80ns，Qg栅极电荷为65nC，正向跨导Min为6.4S。
SIHP22N60S-E3是MOSFET 600V N沟道超结TO-220，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为24 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有E系列，上升时间为68纳秒，Rds漏极-源极电阻为160毫欧姆，Qg栅极电荷为75 nC，Pd功耗为250 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为22A，并且正向跨导Min为9.4S，并且下降时间为59ns。
SIHP18N60E-GE3，带电路图，包括卷筒包装。
SIHP22N60EL-GE3，带EDA/CAD模型，包括卷筒包装。
