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IPW65R065C7带有引脚细节，包括XPW65R065系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW65R165C7XKSA1 SP001080116，提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS C7商品名，该设备也可以用作to-247-3包装箱。此外，该技术是Si，该器件以单配置提供，该器件具有171 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为33 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为58mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为64nC，沟道模式为增强。
IPW65R070C6是MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如90纳秒，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有17 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为70 mOhms，Qg栅极电荷为170 nC，Pd功耗为391 W，部件别名为IPW65R070C6FKSA1 IPW65RO 70C6XK SP000745034，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为53.5 A，下降时间为6 ns，配置为单一。
带有电路图的IPW65R065C7XKSA1，包括TO-247-3封装盒，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的IPW65 R065C7 SP001080116，商品名设计用于CoolMOS。
