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IPW60R099CP是MOSFET N-CH 650V 31A TO-247，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW60RO 99CPFKSA1 IPW60R 99CPXK SP000067147，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为255 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为31A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为99mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPW60R099C6是MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6，包括3.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C6系列，上升时间为12ns，Rds漏极-源极电阻为99mOhms，Qg栅极电荷为119nC，Pd功耗为278 W，部件别名为IPW60R099C6FKSA1 IPW60RO 99C6XK SP000641908，包装为管，包装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为37.9 A，下降时间为6 ns，配置为单通道。
带电路图的IPW60R099C6FKSA1，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了在管中使用的封装，该管提供部件别名功能，如IPW60RO 99C6 IPW60R 99C6XK SP000641908，系列设计为在XPW60R099以及Si技术中工作，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPW60R099C7XKSA1，带EDA/CAD型号，包括管包装，设计用于to-247-3包装箱，技术如数据表说明所示，用于Si，提供零件别名功能，如IPW60RO 99C7 SP001298004。
