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FDT86246L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.32521 3.32521
  • 库存: 90
  • 单价: ¥3.32522
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.33
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-223-4
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 335 pF @ 75 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 228毫欧姆@2A,10V
  • 色彩/颜色 -

FDT86246L 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产,该工艺针对rDS(开启)、开关性能和耐用性进行了优化。

特色

  • VGS=10 V,ID=2 A时,最大rDS(开)=236 mΩ
  • VGS=6 V,ID=1.7 A时,最大rDS(开)=329 mΩ
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
  • 快速切换速度
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 负载开关
  • 主开关
FDT86246L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDT86246L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDT86246L价格参考¥3.325215,你可以下载 FDT86246L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDT86246L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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