9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN5L06K-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN5L06K-7参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated DMN5L06K-7封装/规格：MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3。您可以下载DMN5L06K-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN5L06DWK-7是MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363，包括DMN5L06系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为305mA，最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@50mA@5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为250 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为305 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，Rds漏极源极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
DMN5L06DW-7是MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SOT-3630供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于3 Ohm@200mA，2.7V，提供功率最大特性，如200mW，封装设计用于Digi ReelR，以及6-TSSOP，SC-88，SOT-3633封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供50pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有2 N通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为50V，25°C电流连续漏极Id为280mA。
DMN5L06K，电路图由DIODES制造。DMN5L06K采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
