9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的TN2404K-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TN2404K-T1-GE3参考价格为0.95000美元。Vishay Siliconix TN2404K-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3。您可以下载TN2404K-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TN2404K-T1-E3是MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于TN2404K-T1零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为360mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为240V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为4 Ohm@300mA，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V，Pd功耗为360 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为200mA，Vds漏极-源极击穿电压为240V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为5ns，沟道模式为增强。
TN2404K，带有VISHAY制造的用户指南。TN2404K采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
TN2404KL，带有SUPERTEX制造的电路图。TN2404KL采用TO-92封装，是IC芯片的一部分。
