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DMN33D8LT-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 240mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-523 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.33945 23.39457
100+ 1.23998 123.99840
500+ 0.81569 407.84750
1000+ 0.55466 554.66100
2000+ 0.50026 1000.53400
5000+ 0.43500 2175.04500
10000+ 0.36975 3697.50000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.82473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-523
  • 包装/外壳 SOT-523
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 115毫安(Ta)
  • 最大功耗 240mW(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 10毫安, 4V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.55 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 48 pF @ 5 V
  • 色彩/颜色 White

DMN33D8LT-13 产品详情

DMN33D8LT-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN33D8LT-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN33D8LT-13价格参考¥2.824731,你可以下载 DMN33D8LT-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN33D8LT-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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