描述
这种N沟道增强型功率MOSFET
使用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹生产
以及DMOS技术。这种先进的MOSFET技术具有
特别定制以减少状态阻力
提供优异的开关性能和高雪崩能量
能量强度。这些设备适用于切换模式
电源、音频放大器、直流电机控制和可变
开关电源应用。
特征
•12.8 A，100 V，Rds（开）=180 mΩ（最大值）@Vgs=10 V，Id=6.4 A
•低栅极电荷（典型值12 nC）
•低铬（典型值20 pF）
•100%雪崩测试
•175°C最高结温额定值
描述
这种N沟道增强型功率MOSFET
使用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹生产
以及DMOS技术。这种先进的MOSFET技术具有
特别定制以减少状态阻力
提供优异的开关性能和高雪崩能量
能量强度。这些设备适用于切换模式
电源、音频放大器、直流电机控制和可变
开关电源应用。
特征
•12.8 A，100 V，Rds（开）=180 mΩ（最大值）@Vgs=10 V，Id=6.4 A
•低栅极电荷（典型值12 nC）
•低铬（典型值20 pF）
•100%雪崩测试
•175°C最高结温额定值
特色
- 12.8A，100V，RDS（开启）=180mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=6.4A
- 低栅极电荷（典型值12nC）
- 低铬（典型值20pF）
- 100%雪崩测试
- 175°C最大结温额定值
应用
- 其他音频和视频
