这种N沟道增强型功率MOSFET得益于STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新改进，该工艺减少了关键的对准步骤，从而提供了卓越的制造再现性。其结果是，晶体管具有极高的封装密度，具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
特色
- 设计用于自动驾驶应用，AEC-Q101合格
- 极低门电荷
- 异常v/dt能力
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
STD25NF20
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.04882 | 19.04882 |
| 10+ | 17.10048 | 171.00487 |
| 100+ | 13.74412 | 1374.41270 |
| 500+ | 11.29211 | 5646.05800 |
| 1000+ | 10.26550 | 10265.50700 |
| 2500+ | 10.26550 | 25663.76750 |
- 库存: 0
- 单价: ¥15.21009
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.05
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- 最大功耗 110W（Tc）
- 供应商设备包装 DPAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 940 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@10A，10V
- 色彩/颜色 -
STD25NF20 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | STD110N02RT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | STDLED627 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.69742 |
 | STD20NF06L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.66974 |
| STDP9320-BB | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥218.39009 |
STD25NF20所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD25NF20 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD25NF20价格参考￥15.210090，你可以下载 STD25NF20中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD25NF20规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
