起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.10964 | 13.10964 |
| 10+ | 11.71901 | 117.19012 |
| 100+ | 9.13474 | 913.47450 |
| 500+ | 7.54608 | 3773.04400 |
| 1000+ | 6.31856 | 6318.56100 |
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该N沟道增强型功率MOSFET是
使用Fairchild Semiconductor的专有平面
条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET
这项技术经过特别调整，以减少对国家的依赖
电阻，并提供优异的开关性能
以及高雪崩能量强度。这些设备是
适用于开关模式电源、音频放大器、，
直流电机控制和可变开关电源应用
该N沟道增强型功率MOSFET是
使用Fairchild Semiconductor的专有平面
条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET
这项技术经过特别调整，以减少对国家的依赖
电阻，并提供优异的开关性能
以及高雪崩能量强度。这些设备是
适用于开关模式电源、音频放大器、，
直流电机控制和可变开关电源应用
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQP572VVF075N | 泛达 (Panduit) | PATCHCORD FIBER OPTIC | ¥723.8739 |
| FQPF6N50C | 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥4.78031 | |
| FQP3N50CTF | 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥2.67987 | |
| FQPF9N25CRDTU | 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥3.40416 | |
 | FQP22N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.53943 |
 | FQP27P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.78952 |
 | FQPF47P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.17728 |
 | FQPF7N80C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.08936 |
 | FQPF4N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.54411 |
 | FQPF8N80CYDTU | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.02082 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
