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PMZB200UNEYL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.25930 3.25930
10+ 2.47707 24.77072
100+ 1.54418 154.41860
500+ 1.05644 528.22450
1000+ 0.81265 812.65300
2000+ 0.73138 1462.77600
5000+ 0.69075 3453.77500
10000+ 0.62984 6298.43000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.26
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 DFN1006B-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 950 mV@250A.
  • 最大功耗 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.4A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 250毫欧姆@1.4A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 89 pF @ 15 V
  • 色彩/颜色

PMZB200UNEYL 产品详情

PMZB200UNEYL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMZB200UNEYL 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMZB200UNEYL价格参考¥3.259305,你可以下载 PMZB200UNEYL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMZB200UNEYL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

安世半导体 (Nexperia)

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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