该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特色
- 异常v/dt能力
- 低门电荷
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 8.11204 | 8.11204 |
10+ | 7.25738 | 72.57386 |
100+ | 5.66032 | 566.03260 |
500+ | 4.67601 | 2338.00800 |
1000+ | 3.91536 | 3915.36700 |
2500+ | 3.91536 | 9788.41750 |
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该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
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