9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的ZDX080N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZDX080N50参考价格为1.49000美元。Rohm Semiconductor ZDX080N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM。您可以下载ZDX080N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZDX050N50带有引脚细节，包括ZDX050N40系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可用于1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有40 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为5 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导最小值为4s，沟道模式为增强。
ZDX080N50，带用户指南，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为38 ns，以及40 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有ZDX080N50系列，上升时间为30 ns，Rds漏极-源极电阻为850 mOhms，Qg栅极电荷为23 nC，Pd功耗为40 W，封装为散装，封装盒为TO-220-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8 A，正向跨导最小值为2 S，下降时间为20 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
ZDU0210RJX是集成电路DUART CMOS 28TSSOP，包括内部振荡器功能，它们设计用于表面安装安装型，信道数量如数据表注释所示，用于1、UART、，提供包装箱功能，如28-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），包装设计为在托盘中工作，以及28-TSSOP供应商设备包，该设备也可以用作1.8V~5.5V电压供应。此外，自动流量控制为是。
ZDU0210QUX，带EDA/CAD模型，包括“是”和“自动流量控制”，设计用于托盘包装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供内部振荡器等功能，包装箱设计用于32-WQFN暴露垫，以及32-QFN（5x5）供应商设备包，该器件还可以用作1.8V～5.5V的电压源。此外，信道数为1，UART。
