AOD7N65和AOI7N65采用先进的高压MOSFET工艺制造，该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。
通过提供低RDS（开启）、Cis和Crss以及保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
产品概要
虚拟数据集750V@150℃
ID（VGS=10V时）7A
RDS（开启）（VGS=10V时）<1.56Ω
AOD7N65
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 178W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.54662 | 8.54662 |
| 10+ | 7.61228 | 76.12288 |
| 100+ | 5.93700 | 593.70050 |
| 500+ | 4.90460 | 2452.30100 |
| 1000+ | 3.87205 | 3872.05400 |
| 2500+ | 3.61391 | 9034.79250 |
| 5000+ | 3.52004 | 17600.24500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥8.54662
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.55
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
- 供应商设备包装 TO-252（DPak）
- 工作温度 -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1180 pF@25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
- 最大功耗 178W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 1.56欧姆@3.5A，10V
- 色彩/颜色 White
AOD7N65 产品详情
AOD7N65 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AOD609G | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | AOD607 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 |
 | AOD609 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道，公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | AOD604 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: TO-252-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.00873 |
 | AOD403-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,20A | ¥1.93174 |
| AOD4185(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.62718 |
 | AOD4184L | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A | ¥1.25041 | |
 | AOD4185-VB | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A | ¥4.27735 | |
| AOD4189(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥2.16285 |
| AOD4132-MS | 美森科 (MSKSEMI) | -- | ¥1.27821 |
AOD7N65所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AOD7N65 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AOD7N65价格参考￥8.546622，你可以下载 AOD7N65中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AOD7N65规格参数、现货库存、封装信息等信息！
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
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