STD16NF06T4

Name: STD16NF06T4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7137804-STD16NF06T4
Price: 7.532616 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc）最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
漏源电流 (Id) @ 温度 16A（Tc）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
供应商设备包装 DPAK
最大功耗 40W (Tc)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 15 V
导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 8A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14.1 nC@10 V
色彩/颜色 -

STD16NF06T4 产品详情

该功率MOSFET是STMicroelectris独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度，具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤，因此具有显著的制造再现性。

特色

典型RDS（开）=0.060Ω
100%雪崩测试
异常v/dtCapability
面向应用程序的字符化

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STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD16NF06T4所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD16NF06T4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD16NF06T4价格参考￥7.532616，你可以下载 STD16NF06T4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD16NF06T4规格参数、现货库存、封装信息等信息！