该N沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有技术生产
平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过特别定制
并且提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些
这些设备适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯
镇流器。
文本：
FQP10N20C/FQFPF10N20C QFET FQP10N2OC/FQFP10N20C 200V N沟道MOSFET概述这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术已经特别定制，以最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关DC/DC转换器、开关模式电源、用于不间断电源和电机控制的DC-AC转换器。TM功能••••9.5A、200V、RDS（开启）=0.36Ω @VGS=10 V低栅极电荷（典型值20 nC）低Crss（典型值40.5 pF）快速切换100%雪崩测试提高dv/dt能力D！● ◀ ▲ ● ● GG DS TO-220 FQP系列GD S TO-220F FQPF系列！S绝对最大额定值符号VDSS ID IDM VGSS EAS IAR EAR dv/dt PD TJ，TSTG TL TC=25°C，除非另有说明，否则参数漏极源电压-连续（TC=25℃）漏极电流-连续（TC=100℃）漏电流-脉冲（注1）FQP10N20C 9.5 6.0 38 FQPF10N20C 200 9.5–6.0–38–±30 210 9.5 7.2 5.5单位V A A V mJ A mJ V/ns W W/°C°C°C栅源电压单脉冲雪崩能量雪崩电流重复雪崩能量峰值二极管恢复dv/dt功耗（TC=25°C）（注2）（注1）（注3）–降额超过25°C操作和存储温度范围用于焊接的最大引线温度，从外壳1/8〃持续5秒72 0.57-55至+150 300 38 0.3–漏极电流受最大结温限制。热特性符号RθJC RθJS RθJA参数热阻、结到外壳热阻、外壳到水槽类型。耐热性，连接至环境FQP10N20C 1.74 0.5 62.5 FQPF10N20C 3.33-62.5单位°C/W°C/W©2003 Fairchild半导体公司A版，2003年3月…
FQP10N20C/FQFPF10N20C QFET FQP10N2OC/FQFP10N20C 200V N沟道MOSFET概述这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术已经特别定制，以最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关DC/DC转换器、开关模式电源、用于不间断电源和电机控制的DC-AC转换器。TM功能••••9.5A、200V、RDS（开启）=0.36Ω @VGS=10 V低栅极电荷（典型值20 nC）低Crss（典型值40.5 pF）快速切换100%雪崩测试提高dv/dt能力D！● ◀ ▲ ● ● GG DS TO-220 FQP系列GD S TO-220F FQPF系列！S绝对最大额定值符号VDSS ID IDM VGSS EAS IAR EAR dv/dt PD TJ，TSTG TL TC=25°C，除非另有说明，否则参数漏极源电压-连续（TC=25℃）漏极电流-连续（TC=100℃）漏电流-脉冲（注1）FQP10N20C 9.5 6.0 38 FQPF10N20C 200 9.5–6.0–38–±30 210 9.5 7.2 5.5单位V A A V mJ A mJ V/ns W W/°C°C°C栅源电压单脉冲雪崩能量雪崩电流重复雪崩能量峰值二极管恢复dv/dt功耗（TC=25°C）（注2）（注1）（注3）–降额超过25°C操作和存储温度范围用于焊接的最大引线温度，从外壳1/8〃持续5秒72 0.57-55至+150 300 38 0.3–漏极电流受最大结温限制。热特性符号RθJC RθJS RθJA参数热阻、结到外壳热阻、外壳到水槽类型。耐热性，连接至环境FQP10N20C 1.74 0.5 62.5 FQPF10N20C 3.33-62.5单位°C/W°C/W©2003 Fairchild半导体公司A版，2003年3月…
特色
- 9.5A，200V，RDS（开启）=0.36Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷（典型值为20 nC）
- 低铬（典型值为40.5 pF）
- 快速切换
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用
- 其他音频和视频
