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FDT458P
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FDT458P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.78031 4.78031
10+ 4.18639 41.86396
100+ 3.20932 320.93290
500+ 2.53675 1268.37650
1000+ 2.02938 2029.38800
2000+ 2.01787 4035.74400
4000+ 2.01787 8071.48800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.14246
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.78
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.4A（Ta）
  • 包装/外壳 至261-4，至261AA
  • 供应商设备包装 SOT-223-4
  • 最大功耗 3W (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@3.4A，10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.5 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 205 pF@15 V
  • 色彩/颜色 -

FDT458P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • -3.4安培，-30伏
  • RDS（开启）=130 mΩ@VGS=10 V
  • RDS（ON）=200 mΩ@VGS=4.5 V
  • 快速切换速度
  • 低栅极电荷（典型值为2.5nC）
  • 用于极低RDS的高性能沟槽技术（开启）
  • 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用，适用于许多不同的应用。
  • 蓄电池充电电路
  • 电机驱动器

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器件图
型号
制造商
描述
价格
FDT86106LZFDT86106LZFDT86106 - N-CHANNEL POWERTRENCH¥14.77552
FDT459NFDT459N安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.77657
FDT3612-SB82273FDT3612-SB82273安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥129.34371
FDT-08-PED-CIFDT-08-PED-CI3M (3M)MOUNTING BRACKET¥789.15741
FDT21624046BRFDT21624046BR8" STANDARD DUCT, 15'L W/STRAP¥0.00
FDT21624076BRFDT21624076BR8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP¥0.00
FDT1615BRFDT1615BR16" STANDARD DUCT, 15'L W/STRAP¥0.00
FDT0815CBBFDT0815CBB8" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP¥0.00
FDT1625BRFDT1625BR16" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP¥0.00
FDT1215CBBFDT1215CBB12" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP¥0.00
FDT458P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDT458P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDT458P价格参考￥5.142459，你可以下载 FDT458P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDT458P规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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