特色
- 超低RDS（开启），单基地，先进技术
- SPICE参数可用
- 二极管用于桥式电路
- 高温下规定的IDSS和VDS（开）
- 指定的高雪崩能量
- ESD JEDAC额定HBM 1级、MM A级、CDM 0级
- 符合RoHS
应用
- 电源
- 感应负载
- PWM电机控制
- 在许多应用中取代MTD20N03L
（图片：引出线）
NTD20N03L27T4G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1.75W（Ta）、74W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.54662 | 8.54662 |
| 10+ | 7.67023 | 76.70231 |
| 100+ | 5.97901 | 597.90140 |
| 500+ | 4.93936 | 2469.68400 |
| 1000+ | 4.13584 | 4135.84100 |
| 2500+ | 4.13584 | 10339.60250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.60505
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.55
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 5V
- 供应商设备包装 DPAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@10A，5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.9 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1260 pF@25 V
- 最大功耗 1.75W（Ta）、74W（Tc）
- 色彩/颜色 -
NTD20N03L27T4G 产品详情
这种逻辑级垂直功率MOSFET是一种通用部件，它以低成本的功率封装提供了当今可用的“最佳设计”。雪崩能量问题使这部分成为理想的设计。漏极到源极二极管具有理想的快速但软恢复。
NTD20N03L27T4G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTD4302-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | ¥1.59344 |
| NTD2955-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥1.01401 |
 | NTD60N02R-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 24V 62A IPAK | ¥0.86915 |
 | NTD20N06L | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN LL 20A 60V DPAK | ¥3.11445 |
| NTD4404N1G | 安盛美 (onsemi) | POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN | ¥2.96959 |
 | NTD2955-1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.37375 |
 | NTD50N03RT4 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4808N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4970N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W（Ta），24.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | NTDV20N06T4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1.88W（Ta），60W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
NTD20N03L27T4G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTD20N03L27T4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTD20N03L27T4G价格参考￥7.605045，你可以下载 NTD20N03L27T4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTD20N03L27T4G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
