STripFET™ 具有宽击穿电压范围的MOSFET提供超低栅极电荷和低导通电阻。
特色
- 设计用于自动驾驶应用，AEC-Q101合格
- 低门电荷
- Verylowon抗性
- 高雪崩强度
STD80N4F6
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.74750 | 12.74750 |
| 10+ | 11.43653 | 114.36539 |
| 100+ | 9.19413 | 919.41370 |
| 500+ | 7.55405 | 3777.02750 |
| 1000+ | 6.86735 | 6867.35600 |
| 2500+ | 6.86735 | 17168.39000 |
- 库存: 180
- 单价: ¥11.37135
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.75
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 DPAK
- 最大功耗 70W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 40A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2150 pF@25 V
- 色彩/颜色 -
STD80N4F6 产品详情
N沟道STripFET™ DeepGate公司™, STMicroelectronics公司
STD80N4F6 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STD 900 | 博普拉 (Bopla) | 附件种类: 使站立 包装: 散装 系列: Databoss | ¥261.10655 |
| STD1W-MINUS | 泰科航天 (TE) | STD1W-MINUS | ¥12.7475 |
| STD-MT-KT1 | 欧姆龙 (Omron) | MINISAFE MIRROR STAND MOUNTING K | ¥0.68025 |
 | STD-CIX-1-40M | 电波工业株式会社 (NDK) | 种类: MHz晶体 频率: 40兆赫 负载电容值: 8皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥8.90877 |
 | STD24N06LT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 1.36W（Ta），62.5W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥78.46958 |
| STD3055L104T4G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3 | ¥169.87498 |
 | STD110N02RT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | STDLED627 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.69742 |
 | STD20NF06L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.66974 |
| STDP9320-BB | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥218.39009 |
STD80N4F6所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD80N4F6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD80N4F6价格参考￥11.371353，你可以下载 STD80N4F6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD80N4F6规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
