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ATP113-TL-H

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.99520 9.99520
10+ 8.90876 89.08767
100+ 6.94521 694.52170
500+ 5.73724 2868.62300
1000+ 4.80385 4803.85300
3000+ 4.80385 14411.55900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.99520
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  • 总计: ¥10.00
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 50W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 55 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Ta)
  • 供应商设备包装 ATPAK
  • 包装/外壳 ATPAK(2根导线+接线片)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2400 pF@20 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 29.5欧姆@18A,10V
  • 色彩/颜色 -

ATP113-TL-H 产品详情

ATP113-TL-H是P沟道功率MOSFET,-60V,-35A,29.5mΩ,单ATPAK,适用于通用开关器件应用。

特色

  • ON电阻RDS(ON)1=22.5mΩ(典型值)
  • 4V驱动器
  • 输入电容Cis=2400pF(典型值)
  • 保护二极管输入

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用
ATP113-TL-H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ATP113-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ATP113-TL-H价格参考¥9.995202,你可以下载 ATP113-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ATP113-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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