特色
- 600毫安，20伏
- RDS（ON）=300 mΩ@VGS=4.5 V
- RDS（ON）=500 mΩ@VGS=2.5 V
- ESD保护二极管（注3）
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 锂离子电池组
FDY302NZ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.11444 | 3.11444 |
| 10+ | 2.36118 | 23.61185 |
| 100+ | 1.47103 | 147.10330 |
| 500+ | 1.00676 | 503.38150 |
| 1000+ | 0.77441 | 774.41100 |
| 3000+ | 0.69698 | 2090.95200 |
| 6000+ | 0.65823 | 3949.41000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.76631
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.11
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
- 包装/外壳 SC-89，SOT-490
- 最大功耗 625mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 600毫安 (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 10 V
- 供应商设备包装 SC-89-3
- 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 600毫安, 4.5V
- 色彩/颜色 -
FDY302NZ 产品详情
该单N沟道MOSFET采用先进的功率沟道工艺设计，以优化RDS（ON）@VGS=2.5V。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDYB-09A1MS-RDK-000 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥396.1142 |
 | FDYB-09EEFP-RDK-001 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插座，母插座 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊料 安装类别: 面板安装，通孔 | ¥472.81651 |
 | FDYB-09EEFP-NDK-001 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插座，母插座 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊料 安装类别: 面板安装，通孔 | ¥472.81651 |
 | FDYB-09FGMS-NDK-000 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥568.71251 |
 | FDY2000PZ | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.15886 | |
 | FDY4001CZCT | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | ¥0.72429 | |
 | FDY2001PZ | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.43457 | |
 | FDY4000CZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安, 350毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | FDY4001CZ | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安、150毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.72429 | |
| FDY3000NZ | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.78725 |
FDY302NZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDY302NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDY302NZ价格参考￥3.766308，你可以下载 FDY302NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDY302NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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