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NVMFS015N10MCLT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta)、54A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.92277 9.92277
10+ 8.90152 89.01524
100+ 6.93942 693.94220
500+ 5.73261 2866.30500
1500+ 4.80008 7200.13050
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.92277
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.92
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC@10 V
  • 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • 最大功耗 3W (Ta), 79W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10.5A(Ta)、54A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12.2毫欧姆@14A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2伏@282A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1338 pF@50 V
  • 色彩/颜色 White

NVMFS015N10MCLT1G 产品详情

NVMFS015N10MCLT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVMFS015N10MCLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVMFS015N10MCLT1G价格参考¥9.922773,你可以下载 NVMFS015N10MCLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVMFS015N10MCLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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