这些高压器件是由STMicroelectronics使用SuperMESH技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET,该技术是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外,这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力,以满足最苛刻的应用。该系列补充了ST的全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmesh产品。
特色
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 网关费用最小化
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.53021 | 12.53021 |
10+ | 11.27719 | 112.77195 |
100+ | 9.06231 | 906.23160 |
500+ | 7.44541 | 3722.70550 |
1000+ | 6.76849 | 6768.49000 |
2500+ | 6.76849 | 16921.22500 |
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这些高压器件是由STMicroelectronics使用SuperMESH技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET,该技术是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外,这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力,以满足最苛刻的应用。该系列补充了ST的全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmesh产品。
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