STD35P6LLF6

Name: STD35P6LLF6
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7138136-STD35P6LLF6
Price: 3.142325 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 175摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
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数量	单价	合计
1+	3.14232	3.14232
10+	2.53277	25.32777
30+	2.25953	67.78593
100+	1.93373	193.37380
500+	1.78660	893.30300
1000+	1.69202	1692.02100

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
工作温度 175摄氏度（TJ）
供应商设备包装 DPAK
最大功耗 70W (Tc)
漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
导通电阻 Rds(ON) 17.5A、10V时为28毫欧姆
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3780 pF @ 25 V
色彩/颜色 -

STD35P6LLF6 产品详情

该器件是使用STripFET F6技术开发的P沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS（开）。

特色

Verylowon抗性
Verylowgatecharge公司
高雪崩强度
低门驱动功率损失

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型号	制造商	描述	价格
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STD3055L104T4G	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3	¥169.87498
STD110N02RT4G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 24伏漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.40416
STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD35P6LLF6所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD35P6LLF6 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD35P6LLF6价格参考￥3.142325，你可以下载 STD35P6LLF6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD35P6LLF6规格参数、现货库存、封装信息等信息！