SUG90090E-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 395W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 33.31734 | 33.31734 |
| 10+ | 29.94939 | 299.49392 |
| 100+ | 24.53894 | 2453.89450 |
| 500+ | 20.88968 | 10444.84100 |
| 1000+ | 18.87630 | 18876.30100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥33.31734
-
数量:
- +
- 总计: ¥33.32
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 供应商设备包装 TO-247AC
- 包装/外壳 至247-3
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100A（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 129 nC@10 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 7.5V, 10V
- 最大功耗 395W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 9.5毫欧姆 @ 20A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5220 pF @ 100 V
- 色彩/颜色 White
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SUG90090E-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUG90090E-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUG90090E-GE3价格参考￥33.317340，你可以下载 SUG90090E-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUG90090E-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
