特色
- 650V电压
- 革命性的一流R DS（on）/套装
- 输出电容中存储的能量减少（Eoss）
- 下栅极电荷Qg
- 通过使用更小的包装或减少零件来节省空间
- 12年超结技术制造经验
- 改进的安全裕度，适用于SMPS和太阳能逆变器应用
- 最低传导损耗/封装
- 低开关损耗
- 更好的轻载效率
- 提高功率密度
- 出色的CoolMOS™ 质量
应用
- 电信
- 服务器
- 太阳的
- PC电源
IPW65R045C7FKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 227W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 132.37631 | 132.37631 |
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 至247-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 93 nC@10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4340 pF @ 400 V
- 最大功耗 227W（Tc）
- 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
- 漏源电流 (Id) @ 温度 46A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 24.9A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1.25毫安
IPW65R045C7FKSA1 产品详情
英飞凌CoolMOS™C6/C7功率MOSFET
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IPW65R190CFDFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A（Tc） 最大功耗: 151W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.35696 |
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| IPW60R105CFD7 | 英飞凌 (Infineon) | ¥30.84244 | |
| IPW60R190C6 | 英飞凌 (Infineon) | ¥27.12828 | |
| IPW60R090CFD7 | 英飞凌 (Infineon) | ¥39.57376 | |
| IPW65R037C6 | 英飞凌 (Infineon) | ¥131.1088 | |
| IPW60R180P7 | 英飞凌 (Infineon) | ¥22.74633 | |
| IPW60R125C6 | 英飞凌 (Infineon) | ¥46.23867 | |
| IPW60R037CSFD | 英飞凌 (Infineon) | -- | ¥30.74504 |
IPW65R045C7FKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPW65R045C7FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPW65R045C7FKSA1价格参考￥132.376310，你可以下载 IPW65R045C7FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPW65R045C7FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
