9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHD180N60E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHD180N60E-GE3参考价格为3.01000美元。Vishay Siliconix SIHD180N60E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA。您可以下载SIHD180N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHB33N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 33A TO-263，包括E系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于E系列，以及TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为278W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为3508pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为33A（Tc），最大Id Vgs的Rds为99 mOhm@16.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为150nC@110V，Pd功耗为278 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为80纳秒，上升时间为90纳秒，Vgs栅极-源极电压为4 V，Id连续漏极电流为33 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs第栅-源极阈值电压为4伏，Rds漏极源极电阻为99毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为56ns，Qg栅极电荷为150nC，正向跨导Min为11S。
带有用户指南的SIHB33N60EF-GE3，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.068654 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为28 ns，以及161 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以EF系列商品名提供，该器件具有技术硅，上升时间为43ns，漏极源极电阻Rds为98mOhms，Qg栅极电荷为155nC，Pd功耗为278W，封装为卷筒，封装盒为TO-263-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为33 A，下降时间为48 ns，配置为单一。
带有电路图的SIHD3N50D-E3，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于E，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
SIHB25N50E-GE3具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装。
