9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHB12N65E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHB12N65E-GE3参考价格为3.07000美元。Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK。您可以下载SIHB12N65E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHA21N65EF-E3带有引脚细节，包括EF系列，它们设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1 N通道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为71nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
SIHA22N60EL-E3带有用户指南，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
SIHB12N60ET1-GE3，带有电路图，包括Si技术。
SIHB12N60ET5-GE3，带有EDA/CAD模型，包括Si技术。
