9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHP20N50E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHP20N50E-GE3参考价格为3.08000美元。Vishay Siliconix SIHP20N50E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB。您可以下载SIHP20N50E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHP18N50C-E3是MOSFET N-CH 500V 18A TO220，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可用作1通道数的通道。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供223 W Pd功耗，该器件具有44 ns的下降时间，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为18 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为5 V，Rds漏极源极电阻为225 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为80ns，Qg栅极电荷为65nC，正向跨导Min为6.4S。
带用户指南的SIHP18N60E-GE3，包括卷筒包装。
SIHLU014-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIHLU014-E3采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
SIHLU024-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIHLU024-E3采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
